Samsung memoria DDR4 -2666 mhz 16GB ecc r 1,2V CL19 dual rank

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Información detallada de

Samsung memoria DDR4 -2666 mhz 16GB ecc r 1,2V CL19 dual rank

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Memoria interna: 16 GB
Tipo de memoria interna: DDR4
Velocidad de memoria del reloj: 2666 MHz
Componente para: PC/servidor
Forma de factor de memoria: 288-pin DIMM
Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 16 GB
Latencia CAS: 19
Voltaje de memoria: 1.2 V
Registrado: Si
Configuración de módulos: 2048M x 72
Clasificación de memoria: 2
Intervalo de temperatura operativa: 0 - 85 °C
Altura: 31,2 mm

Garantía: 2 Años
16GB Memoria Samsung
ID producto: 30579680 | Referencia: 875587 | Vendido por: Norcore Soluciones Tecnológicas
Fecha de alta del producto 19/02/2018 - Modificado por el vendedor 07/06/2018

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